| 一种固态钽电解电容器及其ALD制备方法 | | 成果类型：电子 | | 专利号/登记号：202111572757.4 | | 权利人属性：西安交通大学 | | 发布时间：2025-6-5 14:24:45 |
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技术详细介绍技术详细介绍本发明公开了一种全固态钽电解电容器器件及其ALD制备方法，制备方法包括：使用小电流密度对阳极钽块的Ta2O5介质层进行进一步补形成；使用ALD法在阳极钽块的Ta2O5介质层表面上沉积导电氧化物薄膜；使用导电碳浆、银浆及银丝对沉积的导电阴极层进行阴极电极引出。本发明采用ALD制备导电氧化物阴极薄膜的方法，避免传统液相法中酸性物质及强氧化剂等对Ta2O5介质层带来损害的同时，制备的氧化物阴极材料具有更高的电导率、良好的温宽性、更高的孔隙覆盖率、更强的附着力、大面积的均匀性及优良的致密性等特征，且该沉积过程中无还原性气体及等离子体对Ta2O5介质层产生损害，促进固态钽电解电容器朝小型化、高容量引出率、高频低阻抗及耐高温长寿命的全面发展。 |
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